SK Hynix avvia la prima NAND 4D a 128 strati al mondo per la produzione in serie



SK Hynix Inc. announced today that it has developed and starts mass-producing the world's first 128-Layer 1 Tb (Terabit) TLC (Triple-Level Cell) 4D NAND Flash, only eight months after the Company announced the 96-Layer 4D NAND Flash last year.

Il chip NAND a 128 strati da 1 Tb offre il più alto stacking verticale del settore con oltre 360 ​​miliardi di celle NAND, ognuna delle quali contiene 3 bit per ogni chip. Per raggiungere questo obiettivo, SK Hynix ha applicato tecnologie innovative, come 'tecnologia di attacco verticale ultra omogenea', 'tecnologia di formazione di celle a film sottile multistrato ad alta affidabilità' e un design del circuito a bassa potenza ultraveloce, sulla propria 4D Tecnologia NAND.

Il nuovo prodotto offre la più alta densità del settore di 1 TB per TLC NAND Flash. Numerose aziende tra cui SK Hynix hanno sviluppato prodotti NAND QLC da 1 Tb (cella quad-level), ma SK Hynix è il primo a commercializzare il NAND Flash TLC da 1 Tb. TLC rappresenta oltre l'85% del mercato NAND Flash con prestazioni e affidabilità eccellenti.

Le dimensioni ridotte del chip, il più grande vantaggio della NAND 4D dell'azienda, hanno permesso a SK Hynix di realizzare memorie NAND Flash ad altissima densità. La società ha annunciato l'innovativa 4D NAND nell'ottobre 2018, che ha combinato il design 3D CTF (Charge Trap Flash) con la tecnologia PUC (Peri. Under Cell).

Con la stessa piattaforma 4D e l'ottimizzazione dei processi, SK Hynix è stata in grado di ridurre del 5% il numero totale dei processi di produzione, impilando altri 32 strati sulla NAND a 96 livelli esistente. Di conseguenza, il costo dell'investimento per il passaggio dalla NAND a 96 strati a 128 strati è stato ridotto del 60% rispetto alla precedente migrazione tecnologica, aumentando in modo significativo l'efficienza degli investimenti.

La NAND 4D a 128 strati da 1 TB aumenta la produttività dei bit per wafer del 40% rispetto alla NAND 4D a 96 strati della società.

SK Hynix inizierà a spedire il flash NAND 4D a 128 strati dalla seconda metà di quest'anno, continuando a implementare varie soluzioni.

Con la sua architettura a quattro piani in un singolo chip, questo prodotto ha raggiunto una velocità di trasferimento dati di 1.400 Mbps (Megabit / sec) a 1,2 V, consentendo soluzioni mobili ad alte prestazioni e bassa potenza e SSD aziendale.

SK Hynix prevede di sviluppare il prodotto UFS 3.1 di prossima generazione nella prima metà del prossimo anno per i principali clienti smartphone di punta. Con NAND Flash a 128 layer da 1 Tb, il numero di chip NAND necessari per un prodotto da 1 TB (Terabyte), attualmente la più grande capacità per uno smartphone, sarà ridotto della metà, rispetto a NAND da 512 Gb; fornirà ai clienti una soluzione mobile con un consumo energetico inferiore del 20% in un pacchetto sottile 1 mm.

La società intende inoltre avviare la produzione in serie di un SSD client da 2 TB con controller e software interni nella prima metà del prossimo anno. Anche il prossimo anno verranno rilasciati SSD a memoria non volatile (NVMe) da 16 TB e 32 TB per data center cloud.

'SK Hynix ha assicurato la competitività fondamentale delle sue attività NAND con questa NAND 4D a 128 strati', ha dichiarato il vicepresidente esecutivo Jong Hoon Oh, capo delle vendite globali e del marketing. 'Con questo prodotto, con la migliore impilabilità e densità del settore, forniremo ai clienti una varietà di soluzioni al momento giusto.'

SK Hynix is developing the next-generation 176-Layer 4D NAND Flash, and will continue to strengthen the competitiveness of its NAND business through technological advantages.